Xenon Lab teigia, kad EPF architektūra padidino galio nitrido tranzistorių įtampos ribą
YouTube kūrėjas Xenon Lab teigia, kad kita svarbi jėgos elektronikos pažanga gali būti susijusi su tuo, kaip kristalo viduje paskirstomas elektrinis laukas. Pasak jo, EPF inžinieriai rado būdą smarkiai padidinti galio nitrido, arba GaN, įtampos ribą.
Kūrėjas aiškina, kad šiandien GaN naudojamas kompaktiškuose ir efektyviuose maitinimo šaltiniuose, tačiau esant kelių kilovoltų įtampai tranzistoriaus viduje susidaro sritys su itin stipriu elektriniu lauku, todėl įrenginys pramušamas. Jo teigimu, EPF sukūrė naują architektūrą, kurioje du itin ploni elektronų ir skylių sluoksniai beveik idealiai kompensuoja vienas kitą. Dėl to elektrinis laukas, anot kūrėjo, pasiskirsto daug tolygiau.
Xenon Lab vaizdo įraše sakoma, kad eksperimentiniai tranzistoriai atlaikė 3,4-3,5 kV, o tos pačios technologijos diodai – daugiau kaip 3,9 kV. Taip pat teigiama, kad šie įrenginiai pagaminti ant palyginti nebrangaus silicio pagrindo.
Pasak kūrėjo, ateityje tokie GaN komponentai galėtų padėti kurti kompaktiškesnę ir efektyvesnę elektromobilių, saulės elektrinių ir ypač galingų AI duomenų centrų jėgos elektroniką.
