Xenon Lab teigia, kad TSMC pasiūlė sprendimą atomariniu mastu ploniems 2D tranzistoriams
YouTube kanalo Xenon Lab vaizdo įraše teigiama, kad TSMC kartu su Nacionaliniu Yang Ming Chiao Tung universitetu išsprendė vieną svarbiausių dvimačių medžiagų tranzistorių problemų. Autorius pasakoja apie tranzistoriaus kanalą iš molibdeno disulfido MoS2, kurio storis siekia apie 0,7 nm. Pasak kūrėjo, tokios medžiagos jau seniai laikomos galimu silicio pakaitalu toliau mažinant tranzistorius.
Anot Xenon Lab, pagrindinė kliūtis buvo ta, kad ant atomariniu mastu plono sluoksnio sunku tolygiai padengti užtvaro dielektriką. Vaizdo įraše aiškinama, kad tyrėjai pridėjo itin ploną aliuminio sluoksnį ir jį oksidavo. Taip, pasak autoriaus, buvo suformuota vos 0,42 nm storio aliuminio oksido sąsaja, ant kurios jau galima tinkamai išdėstyti hafnio oksido dielektriką.
Kūrėjas teigia, kad dėl to pavyko geriau valdyti srovę ir sumažinti nuotėkį, kai ekvivalentinis dielektriko storis buvo apie 1 nm. Jis kartu pabrėžia, kad tai dar nėra paruoštas subnanometrinis gamybos procesas, tačiau tokie inžineriniai sprendimai, jo vertinimu, yra būtini, jei 2D tranzistoriai kada nors peržengs laboratorijų ribas ir priartės prie realių procesorių.
